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晶体管
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IRG4PC30FDPBF

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库存:7,394(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.4198
34.4198
10
¥29.1992
291.992
100
¥25.3572
2535.72
250
¥24.0464
6011.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
31 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001541864
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRG4PC30FDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
1:¥7.0738
10:¥6.0907
100:¥4.6782
500:¥4.1358
参考库存:11933
晶体管
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥389.1946
5:¥380.5162
10:¥363.1481
25:¥347.927
参考库存:1495
晶体管
MOSFET 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD
1:¥11.3678
10:¥9.379
100:¥7.2207
500:¥6.215
1,000:¥4.9042
3,000:¥4.5765
参考库存:31317
晶体管
MOSFET N-Chnl 250V
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
参考库存:25344
晶体管
MOSFET PT5 150/25V PchMOSFET
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
1,000:¥7.7631
3,000:¥7.2659
参考库存:16271
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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