QPD1823详细信息_QPD1823相关参数PDF

射频晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：36,683(价格仅供参考)

数量	单价	合计
250	¥623.3306	155832.65

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	21 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	-
输出功率	220 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	-
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	NI400-2
封装	Tray
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	1.8 GHz to 2.4 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	250
子类别	Transistors
零件号别名	1130969

商品其它信息

优势价格，QPD1823的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BFU520XRR	NXP Semiconductors	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor	1:¥3.616 10:¥2.7233 100:¥1.4803 1,000:¥1.10627 3,000:¥0.95259	参考库存:118248
2729GN-150	Microchip / Microsemi	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor	5:¥2,767.1666	参考库存:37901
PH2729-110M	MACOM	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管	1:¥2,633.1486 2:¥2,560.3088 5:¥2,501.6844 10:¥2,428.6073	参考库存:4430
PTVA102001EA-V1-R0	Wolfspeed / Cree	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	1:¥1,046.8659 50:¥1,046.8659	参考库存:4642
MRF151	Advanced Semiconductor, Inc.	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor	1:¥488.7024 10:¥464.2718 25:¥439.8299 50:¥415.3993 100:¥316.5808	参考库存:37910