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射频晶体管
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TGF2040

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.1dB Gain 13dB P1dB 26dBm
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数量单价合计
100
¥50.9404
5094.04
300
¥47.5617
14268.51
500
¥44.4881
22244.05
1,000
¥41.5727
41572.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
13 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 15 V
Id-连续漏极电流
129 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
20 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
产品
RF JFET
系列
TGF
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
155 mS
NF—噪声系数
1.1 dB
P1dB - 压缩点
26 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098615
商品其它信息
优势价格，TGF2040的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRFX1K80N-230MHZ
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX1K80N-230MHZ
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:36484
BFP 450 H6433
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
10,000:¥1.8419
参考库存:36489
VRF157FLMP
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
10:¥3,869.3573
参考库存:36494
MRF6V14300HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1400MHZ 50V
1:¥2,312.4207
5:¥2,276.8483
10:¥2,242.9596
25:¥2,194.5504
50:¥2,160.8199
参考库存:36499
AFV121KHSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KHS/CFM4F///REEL 13
50:¥3,872.3518
参考库存:36504

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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