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射频晶体管
BFU730F,115参考图片

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BFU730F,115

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.825
28.25
100
¥1.7176
171.76
1,000
¥1.3334
1333.4
3,000
¥1.1413
3423.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
直流集电极/Base Gain hfe Min
205
集电极—发射极最大电压 VCEO
2.8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1 V
集电极连续电流
5 mA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT343F-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
10 V
直流电流增益 hFE 最大值
555
高度
0.75 mm
长度
2.2 mm
工作频率
55 GHz
类型
RF Silicon Germanium
宽度
1.35 mm
商标
NXP Semiconductors
Pd-功率耗散
197 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934064614115
单位重量
6.665 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
0912-45
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
1:¥1,284.5388
2:¥1,253.6446
5:¥1,235.2821
10:¥1,217.7558
参考库存:35745
PTRA087008NB-V1-R5
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
500:¥987.9364
参考库存:35750
PD55015STR-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥156.9118
5:¥155.2959
10:¥144.7643
25:¥138.2329
600:¥112.2655
参考库存:35755
PXAC261002FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥597.1259
参考库存:35760
NPT1012B
MACOM
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN
1:¥1,078.6754
2:¥1,048.866
5:¥1,024.8196
10:¥994.9198
参考库存:2394

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