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射频晶体管
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QPD1008

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
4 A
输出功率
162 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
127 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-360
封装
Tray
配置
Single
工作频率
3.2 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1008PCB401
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
商品其它信息
优势价格，QPD1008的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF1518NT1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
1:¥83.0663
10:¥76.3767
25:¥72.998
100:¥64.5456
1,000:¥51.0986
参考库存:6386
A2T07H310-24SR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T07H310-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,057.0924
参考库存:35949
MRF422
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥645.456
10:¥630.088
25:¥614.72
50:¥583.984
参考库存:2548
2729-125
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor
20:¥2,489.9211
25:¥2,455.8064
参考库存:35956
PD84006L-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic
1:¥69.6984
10:¥63.0088
25:¥60.0934
100:¥52.1721
3,000:¥38.1149
参考库存:13030

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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