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射频晶体管
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CGHV96050F2

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
封装
Tray
高度
5.03 mm
长度
23.01 mm
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
产品
GaN HEMT
宽度
24.26 mm
商标
Wolfspeed / Cree
下降时间
-
产品类型
RF JFET Transistors
上升时间
-
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
商品其它信息
优势价格，CGHV96050F2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D2208UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 4OW-12.5V-500MHz PP
50:¥930.9166
100:¥905.2543
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UF28100H
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射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
10:¥2,606.4919
25:¥2,512.5098
参考库存:39957
VRF150MP
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥729.0534
2:¥706.3856
5:¥706.1596
10:¥683.4127
参考库存:6546
CGHV40030F
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
1:¥993.6203
参考库存:6748
PD55025TR-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel
1:¥220.0675
5:¥217.8414
10:¥203.0158
25:¥193.8628
600:¥157.4429
参考库存:39966

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