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射频晶体管
A2T21H140-24SR3参考图片

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A2T21H140-24SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H140-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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库存:39,090(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥399.4098
399.4098
5
¥390.4263
1952.1315
10
¥375.2052
3752.052
25
¥363.1481
9078.7025
250
¥326.796
81699
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
17.4 dB
输出功率
36 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
935340104128
单位重量
4.672 g
商品其它信息
优势价格,A2T21H140-24SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥829.9511
参考库存:36407
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB
1:¥1,844.16
25:¥1,664.3544
参考库存:2981
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥919.0064
5:¥902.1016
10:¥861.5346
25:¥832.7874
参考库存:36414
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.4578
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
参考库存:32143
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥1,451.8127
10:¥1,403.4035
25:¥1,354.9943
50:¥1,306.6642
参考库存:36421
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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