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晶体管
IRFP054NPBF参考图片

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IRFP054NPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 55V 72A 12mOhm 86.7nCAC
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数量单价合计
1
¥16.9048
16.9048
10
¥14.3736
143.736
100
¥11.526
1152.6
500
¥10.0683
5034.15
1,000
¥8.2942
8294.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
72 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
86.7 nC
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.31 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001566178
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IRFP054NPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFN 27 E6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon Hi-Volt TRANSISTORS
1:¥2.9154
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:23284
TSM088NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHL, 30V, 61A, 8.8mOhm
1:¥5.2997
10:¥4.6895
100:¥3.5934
500:¥2.6555
2,500:¥1.8758
5,000:查看
参考库存:4251
NVMFS5C456NLWFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8
1:¥8.4524
10:¥7.2659
100:¥5.5822
500:¥4.9381
1,500:¥3.4465
9,000:查看
参考库存:4703
2SA1312GRTE85LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Audio Amp VCEO -120V HFE 700
1:¥3.0736
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.43053
参考库存:106505
IRGS14C40LPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 430V LOW-VCEON DISCRETE IGBT
1:¥20.7468
10:¥17.5941
100:¥14.1363
500:¥12.3735
参考库存:35762

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    50万现货SKU

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