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晶体管
IRGS14C40LPBF参考图片

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IRGS14C40LPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 430V LOW-VCEON DISCRETE IGBT
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库存:35,762(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.7468
20.7468
10
¥17.5941
175.941
100
¥14.1363
1413.63
500
¥12.3735
6186.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
430 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V
栅极/发射极最大电压
10 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
125 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001533072
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,IRGS14C40LPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET
暂无价格
参考库存:38700
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥115.8024
10:¥105.2708
25:¥97.3608
50:¥92.0498
参考库存:38705
晶体管
MOSFET N Channel MOSFET
100:¥671.3556
参考库存:38710
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
50:¥1,716.8316
参考库存:38715
晶体管
MOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 package
1:¥24.4306
10:¥20.7468
100:¥18.0574
250:¥17.1308
500:¥15.368
参考库存:12565
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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