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晶体管
SIR618DP-T1-GE3参考图片

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SIR618DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:6,538(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9157
8.9157
10
¥7.3789
73.789
100
¥5.6726
567.26
500
¥4.8703
2435.15
1,000
¥3.8533
3853.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
14.2 A
Rds On-漏源导通电阻
76 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
21.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
18 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SIR618DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
1:¥17.8992
10:¥15.2098
100:¥12.1362
500:¥10.6785
5,000:¥7.91
10,000:查看
参考库存:26655
晶体管
MOSFET DMOSFET 1.7kV 80mOHMS 4PLUS
1:¥266.4088
100:¥256.1032
参考库存:5302
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:26229
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:26234
晶体管
MOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥15.2098
500:¥13.2888
5,000:¥9.9101
参考库存:26239
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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