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晶体管
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STP315N10F7

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
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数量单价合计
1
¥41.0303
41.0303
10
¥34.8831
348.831
100
¥30.2727
3027.27
250
¥28.6568
7164.2
500
¥25.7414
12870.7
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
180 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
315 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Tube
系列
STP315N10F7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
108 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
148 ns
典型接通延迟时间
62 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STP315N10F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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5,000:¥12.5204
参考库存:35328

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