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晶体管
STW56N60M2参考图片

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STW56N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
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数量单价合计
1
¥50.7935
50.7935
10
¥45.9458
459.458
25
¥43.7988
1094.97
100
¥38.0358
3803.58
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
52 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
91 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
350 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STW56N60M2
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26.5 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
119 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STW56N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
1:¥3.842
10:¥2.8815
100:¥1.5594
1,000:¥1.1752
4,000:¥1.00683
参考库存:25599
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN/PNP 50V 30MA
1:¥2.9945
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:29146
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 20MA
1:¥2.9154
10:¥2.0001
100:¥0.92208
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.60681
参考库存:10973
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥599.352
10:¥499.46
25:¥449.514
50:¥399.568
参考库存:2930
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥2.7685
10:¥1.8419
100:¥0.7684
1,000:¥0.52206
2,000:¥0.4068
参考库存:30587
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    50万现货SKU

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