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晶体管
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MRF1000MB

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库存:2,930(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥599.352
599.352
10
¥499.46
4994.6
25
¥449.514
11237.85
50
¥399.568
19978.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3.5 V
集电极连续电流
200 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
332A-03
封装
Tray
工作频率
1090 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
7 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,MRF1000MB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V Vdss 2ohm Rds on Id +/-150mA N-Ch
1:¥3.2318
10:¥2.4182
100:¥1.3108
1,000:¥0.9831
8,000:¥0.791
24,000:查看
参考库存:75024
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
1:¥2.4634
10:¥1.5707
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.33787
参考库存:90766
晶体管
MOSFET -60V -15.5A P-Channel
1:¥6.9947
10:¥5.7517
100:¥3.7064
1,000:¥2.9719
2,500:¥2.5086
参考库存:116958
晶体管
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥24.3628
10:¥21.7412
100:¥17.8314
250:¥15.368
2,000:¥11.2209
参考库存:43570
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008
1:¥12.4526
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9947
2,000:¥5.4014
4,000:查看
参考库存:23192
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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