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晶体管
IPI90R1K2C3参考图片

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IPI90R1K2C3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 900V 5.1A I2PAK-3 CoolMOS C3
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库存:6,179(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.9893
11.9893
10
¥10.2152
102.152
100
¥8.1473
814.73
500
¥7.1642
3582.1
1,000
¥5.9325
5932.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
5.1 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
400 ns
典型接通延迟时间
70 ns
零件号别名
IPI90R1K2C3XKSA1 IPI9R1K2C3XK SP000683080
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格,IPI90R1K2C3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.6894
10:¥1.8758
100:¥0.78422
1,000:¥0.53788
3,000:¥0.42262
参考库存:18423
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.8367
500:¥9.5259
1,000:¥7.8422
参考库存:4225
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥194.3261
5:¥185.6477
10:¥179.8056
25:¥165.206
参考库存:2502
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mm
1:¥3.6838
10:¥2.0792
100:¥1.10627
500:¥0.92999
3,000:¥0.51528
9,000:查看
参考库存:12499
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.571
500:¥6.6896
参考库存:7501
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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