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晶体管
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NSS40200UW6T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) WDFN6 2*2 LOW VCE (SAT) TR
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3,000
¥2.1357
6407.1
9,000
¥2.0566
18509.4
24,000
¥1.9775
47460
45,000
¥1.9436
87462
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
集电极—基极电压 VCBO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
- 0.1 V
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
140 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSS40200UW6T1G
高度
0.75 mm
长度
2 mm
封装
Reel
宽度
2 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
- 2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
250
Pd-功率耗散
875 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
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25,000:¥1.2882
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