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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SO-8FL
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Id-连续漏极电流	51 A
Rds On-漏源导通电阻	5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	18.6 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	32 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Reel
晶体管类型	Single N-Channel Power MOSFET
商标	ON Semiconductor
下降时间	4 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	26 ns
工厂包装数量	5000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	18 ns
典型接通延迟时间	7 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BCX 71J E6433	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR	1:¥1.6159 10:¥1.13 100:¥0.47686 1,000:¥0.32318 10,000:¥0.2147 20,000:查看	参考库存:204190
TPN3R704PL,L1Q	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40 Volt N-Channel	1:¥5.3788 10:¥4.6556 100:¥2.5086 1,000:¥1.8758 5,000:¥1.7628 10,000:¥1.695	参考库存:153532
BFN18H6327XTSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS	1:¥3.0736 10:¥2.6103 100:¥1.5933 1,000:¥1.2317 2,000:¥1.05316 10,000:¥1.03734	参考库存:4424
IRFR9110TRLPBF	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET D-PAK	1:¥9.0626 10:¥7.458 100:¥5.7291 3,000:¥5.7291	参考库存:19121
STWA48N60M2	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 600 V, 0.06 Ohm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 long leads package	1:¥67.6983 10:¥61.1669 25:¥58.3193 100:¥50.6353	参考库存:5348