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晶体管
C3M0280090J-TR参考图片

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C3M0280090J-TR

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • MOSFET G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 280 mOhm
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数量单价合计
1
¥28.0466
28.0466
100
¥26.9731
2697.31
500
¥25.6623
12831.15
800
¥25.6623
20529.84
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
385 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
18 V, - 8 V
Qg-栅极电荷
9.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
Power MOSFET
类型
Silicon Carbide MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
3.1 S
下降时间
4 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
6.5 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
10.5 ns
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,C3M0280090J-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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    50万现货SKU

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