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晶体管
RQ3E075ATTB参考图片

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RQ3E075ATTB

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Pch -30V -18A Si MOSFET
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库存:22,206(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.8422
7.8422
10
¥6.6331
66.331
100
¥5.0963
509.63
500
¥4.4974
2248.7
3,000
¥3.1527
9458.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSMT-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
17.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
21 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
15 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
7 S
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
9.8 ns
零件号别名
RQ3E075AT
商品其它信息
优势价格,RQ3E075ATTB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220
1:¥16.0573
10:¥13.3679
100:¥10.3734
500:¥9.0626
参考库存:5574
晶体管
MOSFET FET BVDSS 25V-30V P-Ch 36A 7.5Vgs 6324
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2997
500:¥4.6782
1,000:¥3.6838
2,500:¥3.6838
参考库存:21351
晶体管
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥8.9157
10:¥7.3789
100:¥5.6726
500:¥4.8703
1,000:¥3.8533
3,000:¥3.8533
参考库存:6538
晶体管
MOSFET PFET SO8 20V 7.8A 33MOHM
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4919
500:¥6.6218
2,500:¥4.633
10,000:查看
参考库存:14075
晶体管
MOSFET Nch 60V Vds 0.25A 3Rds(on) SOT-23
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:50247
  • 海量现货

    50万现货SKU

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