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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual Common Emitter
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	10 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	UMT-5
直流集电极/Base Gain hfe Min	100
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	UMG4N
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	600
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
高度	0.77 mm
长度	2 mm
宽度	1.7 mm
商标	ROHM Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	UMG4N
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DMT3004LPS-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V N-Ch Enh FET	1:¥6.6105 10:¥5.6387 100:¥4.3392 500:¥3.8307 1,000:¥3.0171 2,500:¥3.0171	参考库存:15308
IAUT150N10S5N035ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET_(75V,120V(	1:¥34.4198 10:¥29.2783 100:¥25.3572 250:¥24.0464 2,000:¥17.289 4,000:查看	参考库存:10065
FQD3P50TM-AM002BLT	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-CH/500V/2.1A 4.9OHM	1:¥8.4524 10:¥7.2546 100:¥5.5709 500:¥4.9268 2,500:¥3.4465 10,000:查看	参考库存:5392
IGW40N60TPXKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.	1:¥30.3518 10:¥25.8205 100:¥22.3627 250:¥21.2101 500:¥19.0518	参考库存:4484
IPN80R900P7ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET LOW POWER_NEW	1:¥8.5315 10:¥7.3224 100:¥5.6274 500:¥4.972 3,000:¥3.4804 9,000:查看	参考库存:77816