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晶体管
IGW40N60TPXKSA1参考图片

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IGW40N60TPXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
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数量单价合计
1
¥30.3518
30.3518
10
¥25.8205
258.205
100
¥22.3627
2236.27
250
¥21.2101
5302.525
500
¥19.0518
9525.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
67 A
Pd-功率耗散
246 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW40N60TP SP001379670
单位重量
6.055 g
商品其它信息
优势价格，IGW40N60TPXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK1K9A60F,S4X
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A
1:¥6.9947
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
参考库存:7131
SQ3469EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V 8A 5W AEC-Q101 Qualified
1:¥4.9155
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.7854
参考库存:14893
SMMBFJ175LT1G
ON Semiconductor
晶体管
JFET SS SOT23 JFET PCH 30
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
3,000:¥1.5368
参考库存:22290
AUIRFS8409TRL
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A
1:¥34.4198
10:¥29.2783
100:¥25.3572
250:¥24.0464
500:¥21.5943
800:¥21.5943
参考库存:8367
NSVF4009SG4T1G
ON Semiconductor
晶体管
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 40MA 3.5V FT=25G
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:23474

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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