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晶体管
FQD3P50TM-AM002BLT参考图片

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FQD3P50TM-AM002BLT

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库存:5,392(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.4524
8.4524
10
¥7.2546
72.546
100
¥5.5709
557.09
500
¥4.9268
2463.4
2,500
¥3.4465
8616.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
2.1 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FQD3P50
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
2.1 S
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
56 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
FQD3P50TM_AM002BLT
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,FQD3P50TM-AM002BLT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 40A
20:¥437.6038
40:¥423.5466
60:¥423.4675
100:¥392.4264
参考库存:33690
晶体管
MOSFET
5,000:¥2.7233
10,000:¥2.6216
25,000:¥2.5312
参考库存:33695
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥567.9267
5:¥550.1744
10:¥533.4278
25:¥509.4492
参考库存:33700
晶体管
MOSFET 20V P-Ch Schottky 650mA 0.47V 0.5A
9,000:¥0.72998
24,000:¥0.66896
45,000:¥0.64523
99,000:¥0.61472
参考库存:186941
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0V 600mA 350mW
5,600:¥1.04525
10,500:¥0.97632
25,200:¥0.92208
50,400:¥0.90626
100,100:¥0.86784
参考库存:33707
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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