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晶体管
IAUT150N10S5N035ATMA1参考图片

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IAUT150N10S5N035ATMA1

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库存:10,065(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.4198
34.4198
10
¥29.2783
292.783
100
¥25.3572
2535.72
250
¥24.0464
6011.6
2,000
¥17.289
34578
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
150 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
67 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
166 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IAUT150N10S5N035 SP001416126
商品其它信息
优势价格,IAUT150N10S5N035ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Small-Signal MOSFET
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
3,000:¥0.2147
参考库存:1737
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.3842
参考库存:16834
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBHV8515QA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥3.6838
10:¥2.8137
100:¥1.5255
1,000:¥1.1413
5,000:¥0.9831
参考库存:16461
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥7.1416
10:¥6.102
100:¥4.6895
500:¥4.1471
5,000:¥2.8928
10,000:查看
参考库存:11573
晶体管
MOSFET Pch -45V -4.5A TO-252 (DPAK)
1:¥6.6896
10:¥5.6839
100:¥4.3618
500:¥3.8533
2,500:¥3.8533
参考库存:14360
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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