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晶体管
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FGY75N60SMD

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库存:5,303(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥45.7198
45.7198
10
¥41.3354
413.354
25
¥39.4144
985.36
100
¥34.1938
3419.38
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
Power-247
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
Pd-功率耗散
750 W
系列
FGY75N60SMD
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
7.629 g
商品其它信息
优势价格,FGY75N60SMD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥17.3681
10:¥14.7578
100:¥11.752
500:¥10.2943
1,000:¥8.5315
5,000:¥8.5315
参考库存:25690
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:164797
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Trans 50Vcbo 50Vces 45Vceo 300mW
1:¥4.1471
10:¥3.5821
100:¥2.486
1,000:¥1.8419
参考库存:18444
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312HS/CFM4F///REEL 13
1:¥4,367.6647
5:¥4,300.5088
10:¥4,236.4943
25:¥4,145.0547
50:¥4,081.3566
参考库存:2651
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥49.0194
10:¥41.6518
100:¥36.1148
250:¥34.2729
500:¥30.736
参考库存:19388
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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