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晶体管
PHE13005,127参考图片

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PHE13005,127

  • WeEn Semiconductors
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RAIL BIPOLAR
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库存：10,838(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥3.3561
33.561
100
¥2.1131
211.31
1,000
¥1.582
1582
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
WeEn Semiconductors
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极—射极饱和电压
0.3 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
40
高度
9.4 mm
长度
10.3 mm
宽度
4.7 mm
商标
WeEn Semiconductors
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
Pd-功率耗散
75 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
934055423127
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，PHE13005,127的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIRA52DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥10.6785
10:¥8.8366
100:¥6.7913
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
3,000:¥4.6104
参考库存:32830
IRL40B212
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 40V, 195A, 1.9 mOhm 91 nC Qg, Logic Lvl
1:¥22.1254
10:¥18.8258
100:¥16.2946
250:¥15.4471
参考库存:16457
SQJ401EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
1:¥15.7522
10:¥13.1419
100:¥10.1474
500:¥8.9157
1,000:¥7.3563
3,000:¥7.3563
参考库存:53349
RD3H200SNTL1
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Nch 45V 20A TO-252 (DPAK)
1:¥8.9948
10:¥7.6614
100:¥5.8873
500:¥5.198
2,500:¥5.198
参考库存:13666
FF600R12ME4CP_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,958.2674
5:¥1,911.169
10:¥1,863.6751
25:¥1,837.5495
参考库存:2958

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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