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晶体管
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FDP22N50N

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库存：12,107(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.5943
21.5943
10
¥18.3625
183.625
100
¥14.6787
1467.87
500
¥12.8368
6418.4
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
220 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
312.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UniFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP22N50N
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FDP22N50N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N4300
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
500:¥38.7251
1,000:¥36.5781
2,000:¥35.1882
参考库存:35150
DMN1008UFDF-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
10,000:¥0.87575
参考库存:35155
MG12225WB-BN2MM
Littelfuse
晶体管
IGBT 模块 1200V 225A Dual
60:¥962.2628
参考库存:35160
MMRF1006HR5
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
50:¥3,278.2995
参考库存:35165
NVMFS5C456NLAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
5,000:¥2.4521
10,000:¥2.3617
25,000:¥2.2713
参考库存:35170

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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