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晶体管
NTB5605PT4G参考图片

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NTB5605PT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET -60V -18.5A P-Channel
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数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.8422
78.422
100
¥6.0229
602.29
500
¥5.3223
2661.15
800
¥4.2036
3362.88
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
18.5 A
Rds On-漏源导通电阻
140 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
88 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.29 mm
系列
NTB5605P
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
75 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
122 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
12.5 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,NTB5605PT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 750A 6500V
1:¥17,193.1082
5:¥16,918.247
参考库存:1116
晶体管
MOSFET 600V,4.5A NCH MOSFET
1:¥11.2209
10:¥9.605
100:¥7.3902
500:¥6.5314
800:¥5.1528
2,400:¥4.9155
参考库存:11503
晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 50W Gain: 9.1dB min
1:¥2,488.6894
参考库存:1160
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23
1:¥3.2318
10:¥2.4973
100:¥1.8645
500:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.07576
参考库存:74712
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) JFET N-Ch
1:¥4.7686
10:¥4.068
100:¥2.5312
1,000:¥1.921
2,500:¥1.695
参考库存:38209
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    50万现货SKU

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