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晶体管
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PD55025S-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
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库存：4,099(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥167.6694
167.6694
10
¥162.9008
1629.008
100
¥149.9962
14999.62
250
¥143.4648
35866.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14.5 dB
输出功率
25 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55025-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
2.5 S
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，PD55025S-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPD80N04S3-06
Infineon Technologies
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2,500:¥3.7629
10,000:¥3.616
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CMNDM8001 TR
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1:¥4.4522
10:¥3.8194
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1,000:¥1.9662
8,000:¥1.6046
24,000:查看
参考库存:485987
STL3N80K5
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3,000:¥4.3844
9,000:¥4.2262
参考库存:32753
PXFC191507FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
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375:¥29.5834
750:¥26.5098
1,125:¥22.3627
2,625:¥21.2892
参考库存:32763

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    50万现货SKU

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