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晶体管
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IHW20N120R5

  • Infineon Technologies
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数量单价合计
1
¥27.8206
27.8206
10
¥23.6622
236.622
100
¥20.5208
2052.08
250
¥19.436
4859
500
¥17.4472
8723.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
288 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW20N120R5XKSA1 SP001150026
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IHW20N120R5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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