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晶体管
QPD2194SR参考图片

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QPD2194SR

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
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数量单价合计
100
¥1,124.8585
112485.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
19.1 dB
晶体管极性
N-Channel
输出功率
371 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI400-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 GHz to 2.2 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD2194PCB4B01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,QPD2194SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Array
1,160:¥2.6781
2,000:¥2.4182
5,000:¥2.2487
10,000:¥2.1696
参考库存:27771
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥6.7574
10:¥5.6613
100:¥3.6612
1,000:¥2.9267
参考库存:10706
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 60V 39A 15MOHM
5,000:¥2.8024
10,000:¥2.7007
25,000:¥2.6103
参考库存:27778
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 30V 46A 4.7mOhm SGL N-CH
1:¥8.9157
10:¥7.6727
100:¥5.8873
500:¥5.198
1,500:¥3.6386
9,000:查看
参考库存:27783
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.5315
500:¥7.4241
1,000:¥6.1472
2,500:¥6.1472
参考库存:15718
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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