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晶体管
TN2640N3-G P014参考图片

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TN2640N3-G P014

  • Microchip Technology
  • 新批次
  • MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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数量单价合计
2,000
¥5.65
11300
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
400 V
Id-连续漏极电流
220 mA
Rds On-漏源导通电阻
5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
740 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
4 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,TN2640N3-G P014的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.9379
20,000:¥0.89157
50,000:¥0.86784
100,000:¥0.83733
参考库存:31458
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6600GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
250:¥654.5186
参考库存:31463
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.2147
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.18419
参考库存:31468
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
2,000:¥3.1075
参考库存:274511
晶体管
IGBT 晶体管 Easy 650V booster power module with IGBT TRENCHSTOP 5, CoolSiC Schottky diode Solder Contact Technology and pre-applied Thermal Interface Material.
30:¥365.9166
60:¥365.8375
120:¥331.5646
270:¥320.1177
参考库存:31475
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