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晶体管
DDTB123TU-7-F参考图片

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DDTB123TU-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 200MW 2.2K
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库存:30,659(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥0.36838
1105.14
9,000
¥0.31527
2837.43
24,000
¥0.29945
7186.8
45,000
¥0.27685
12458.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
2.2 kOhms
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极连续电流
500 mA
峰值直流集电极电流
500 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DDTB123
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
商标
Diodes Incorporated
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,DDTB123TU-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chnl 60V
1:¥6.7574
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
4,000:¥3.1075
参考库存:14151
晶体管
MOSFET 75V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥22.6678
10:¥18.7467
100:¥15.4471
250:¥14.9838
500:¥13.447
3,000:¥13.447
参考库存:61873
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥26.2838
10:¥21.7412
100:¥17.8992
250:¥17.3681
500:¥16.1364
参考库存:46662
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8
1:¥6.7574
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
5,000:¥2.7685
10,000:查看
参考库存:3820
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 4180pF 60nC 160A 132W
1:¥16.3624
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
5,000:¥6.8478
10,000:查看
参考库存:173837
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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