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晶体管
MJF127G参考图片

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MJF127G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 5A 100V Bipolar Power PNP
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库存:6,303(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.3732
63.732
100
¥4.8929
489.29
500
¥4.3279
2163.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
5 A
最大集电极截止电流
10 uA
Pd-功率耗散
30 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJF127
封装
Tube
高度
9.24 mm
长度
10.63 mm
宽度
4.9 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
1000, 2000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,MJF127G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SSOT-6 N-CH 20V
1:¥4.6895
10:¥3.9098
100:¥2.5199
1,000:¥2.0227
3,000:¥1.7063
参考库存:27589
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP
1:¥32.431
10:¥27.5042
100:¥23.8995
250:¥22.6678
500:¥20.2835
参考库存:4506
晶体管
IGBT 模块 1600V 134A UN-CNTL
1:¥569.6104
5:¥559.1692
10:¥544.6374
25:¥533.9589
参考库存:27878
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9948
500:¥7.91
800:¥6.4975
参考库存:27883
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
1:¥1,281.0019
50:¥1,281.0019
参考库存:27888
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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