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晶体管
NVMFS5C646NLAFT3G参考图片

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NVMFS5C646NLAFT3G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET T6 60V S08FL
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数量单价合计
5,000
¥3.503
17515
10,000
¥3.3787
33787
25,000
¥3.2657
81642.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-FL-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
93 A
Rds On-漏源导通电阻
3.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
33.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
79 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
105 S
下降时间
5.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14.9 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23.6 ns
典型接通延迟时间
10.4 ns
商品其它信息
优势价格，NVMFS5C646NLAFT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N4231
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3.0A 35W 50Vcbo 40Vceo 1.5A 2.0Vce
90:¥89.9819
120:¥82.6821
270:¥75.3823
510:¥67.0768
参考库存:30556
PBSS305PZ,135
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 80V 4.5A
4,000:¥1.5594
8,000:¥1.5029
24,000:¥1.4464
48,000:¥1.4238
参考库存:30561
MMRF1006HSR5
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
50:¥3,278.2995
参考库存:30566
DMN62D1LFDQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 2N7002 Family
10,000:¥0.63732
20,000:¥0.59212
参考库存:30571
STP26N60M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥22.3627
10:¥18.984
100:¥16.4415
250:¥15.594
参考库存:4114

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    50万现货SKU

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