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晶体管
IPB60R125CP参考图片

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IPB60R125CP

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
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数量单价合计
1,000
¥23.5944
23594.4
2,000
¥22.4418
44883.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
70 nc
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
类型
600 V CoolMOS C6 Power Transistor
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPB60R125CPATMA1 IPB6R125CPXT SP000297368
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB60R125CP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BCV61C,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DOUBLE TAPE-7
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:23081
SI5515CDC-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
1:¥6.3732
10:¥5.1528
100:¥3.9098
500:¥3.2318
3,000:¥3.2318
参考库存:112333
PBSS4112PANP,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 120V 1A NPN/PNP lo VCEsat transistor
1:¥3.2996
10:¥2.7233
100:¥1.6611
1,000:¥1.2882
3,000:¥1.09836
参考库存:21545
DMN53D0LW-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF
1:¥2.0001
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:25692
BCP68-25,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7
1:¥2.9154
10:¥2.2713
100:¥1.2317
1,000:¥0.92999
2,000:¥0.79891
参考库存:22799

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