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晶体管
DMN53D0LW-7参考图片

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DMN53D0LW-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF
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库存:25,692(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.0001
2.0001
10
¥1.3786
13.786
100
¥0.5763
57.63
1,000
¥0.40002
400.02
3,000
¥0.30736
922.08
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
360 mA
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
1.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
420 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN53
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
80 mS
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.9 ns
典型接通延迟时间
2.7 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DMN53D0LW-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 8A, 600mOhm
4,000:¥7.2998
5,000:¥7.0286
10,000:¥6.8817
参考库存:33283
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥261.4142
250:¥244.0461
参考库存:33288
晶体管
IGBT 模块 1200V 300A Dual 150TVj
1:¥1,475.328
5:¥1,436.908
10:¥1,410.7824
25:¥1,364.6784
参考库存:33293
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Power
2,000:¥4.9155
10,000:¥4.7234
参考库存:26534
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T23H450W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,069.8388
5:¥1,048.866
10:¥999.9935
25:¥978.9416
100:¥929.99
150:¥865.1393
参考库存:7286
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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