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晶体管
SI5515CDC-T1-E3参考图片

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SI5515CDC-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
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数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.1528
51.528
100
¥3.9098
390.98
500
¥3.2318
1615.9
3,000
¥3.2318
9695.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ChipFET-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
36 mOhms, 100 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
11.3 nC, 11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI54
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
22.4 S, 9.5 S
下降时间
10 ns, 6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns, 32 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns, 25 ns
典型接通延迟时间
7 ns, 10 ns
零件号别名
SI5515CDC-E3
单位重量
85 mg
商品其它信息
优势价格，SI5515CDC-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N4231
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3.0A 35W 50Vcbo 40Vceo 1.5A 2.0Vce
90:¥89.9819
120:¥82.6821
270:¥75.3823
510:¥67.0768
参考库存:30556
PBSS305PZ,135
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 80V 4.5A
4,000:¥1.5594
8,000:¥1.5029
24,000:¥1.4464
48,000:¥1.4238
参考库存:30561
MMRF1006HSR5
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
50:¥3,278.2995
参考库存:30566
DMN62D1LFDQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 2N7002 Family
10,000:¥0.63732
20,000:¥0.59212
参考库存:30571
STP26N60M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥22.3627
10:¥18.984
100:¥16.4415
250:¥15.594
参考库存:4114

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