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晶体管
STH110N10F7-2参考图片

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STH110N10F7-2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII
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库存:7,295(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.5943
21.5943
10
¥18.3625
183.625
100
¥14.6787
1467.87
500
¥12.8368
6418.4
1,000
¥10.5994
10599.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H2PAK-2
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
110 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
Power MOSFET
系列
STH110N10F7-2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STH110N10F7-2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
1:¥21.2892
10:¥18.0574
100:¥14.4414
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:6665
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥8.2264
10:¥6.9608
100:¥5.3449
500:¥4.7234
1,000:¥3.729
2,500:¥3.3109
参考库存:5607
晶体管
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 14.5mOhms 29nC
1:¥7.9891
10:¥6.8591
100:¥5.2658
500:¥4.6556
1,000:¥3.6838
2,000:¥3.6838
参考库存:20344
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
1:¥55.709
10:¥50.1042
25:¥45.6407
100:¥41.1885
参考库存:3641
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 140A
1:¥1,183.1778
5:¥1,154.6792
10:¥1,126.0111
25:¥1,110.2589
参考库存:3433
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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