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晶体管
HN1A01FE-Y,LF参考图片

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HN1A01FE-Y,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) ES6 PLN
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥1.6724
16.724
100
¥0.71416
71.416
1,000
¥0.5537
553.7
4,000
¥0.41471
1658.84
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 50 V
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.1 V
最大直流电集电极电流
- 150 mA
增益带宽产品fT
80 MHz
系列
HN1A01
直流电流增益 hFE 最大值
400
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
集电极连续电流
- 150 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，HN1A01FE-Y,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NGTB15N60R2FG
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 RC2 IGBT 15A 600V
1:¥14.4414
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
参考库存:7320
MRFE6VP61K25HR5
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
1:¥1,330.9479
5:¥1,298.9011
10:¥1,266.7074
25:¥1,248.9551
50:¥1,248.9551
参考库存:4982
FDV301N
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET N-Ch Digital
1:¥2.3052
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:12992294
C2M0045170D
Wolfspeed / Cree
晶体管
MOSFET SiC Power MOSFET 1700V, 72A
1:¥670.0448
100:¥644.3034
参考库存:8666
DMP3017SFGQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V P-Ch Enh FET 30Vgss -80A Idm
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,000:¥2.7007
参考库存:110113

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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