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晶体管
NJD35N04G参考图片

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NJD35N04G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 POWER DARL TRANSIST
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库存:11,647(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥5.9212
59.212
100
¥4.5539
455.39
500
¥4.0228
2011.4
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
350 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
最大直流电集电极电流
4 A
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3 (DPAK)
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NJD35N04
封装
Tube
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
2000, 300
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
75
子类别
Transistors
单位重量
426 mg
商品其它信息
优势价格,NJD35N04G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:52509
晶体管
MOSFET 25V 16.2A 5.0W 10.5mohm @ 10V
2,500:¥3.6612
5,000:¥3.4804
10,000:¥3.3448
25,000:¥3.2431
参考库存:34473
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
2,500:¥3.9776
10,000:¥3.8307
参考库存:34478
晶体管
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
480:¥19.5942
960:¥17.5941
参考库存:34483
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 11dB 57% PAE@12GHz
100:¥112.1864
300:¥104.8866
500:¥97.971
1,000:¥91.5978
参考库存:34488
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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