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晶体管
IRFHM8326TRPBF参考图片

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IRFHM8326TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 30V Fet 25A 4.7mOhm 20nC PQFN3 BTRY
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库存：22,870(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.955
39.55
100
¥2.4182
241.82
1,000
¥1.8645
1864.5
4,000
¥1.5933
6373.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
19 A
Rds On-漏源导通电阻
5.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.8 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
70 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SP001570892
商品其它信息
优势价格，IRFHM8326TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJK1053DPB-00#J5
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET PowerMOSFET
暂无价格
参考库存:33411
TSM2301BCX
Taiwan Semiconductor
晶体管
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1:¥4.0002
10:¥3.1527
100:¥2.1696
500:¥1.4803
3,000:¥0.99101
9,000:查看
参考库存:33416
TSM60NB190CI C0G
Taiwan Semiconductor
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MOSFET 600V, 18A, Single N- N-Chan Power MOSFET
4,000:¥10.5316
5,000:¥10.1474
参考库存:33421
PTVA123501EC-V2-R250
Wolfspeed / Cree
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250:¥3,941.1236
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IAUC100N10S5L040ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
5,000:¥7.345
10,000:¥7.0625
参考库存:33431

  • 海量现货

    50万现货SKU

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