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晶体管
BFP 640 H6327参考图片

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BFP 640 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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库存:31,812(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.9945
29.945
100
¥1.8193
181.93
1,000
¥1.4125
1412.5
3,000
¥1.2091
3627.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP640
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
110
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.2 V
集电极连续电流
50 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
40 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP640H6327XTSA1 BFP64H6327XT SP000745306
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,BFP 640 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
1:¥22.1254
10:¥18.7467
100:¥14.9838
500:¥13.1419
参考库存:6856
晶体管
MOSFET N-CH 30V 500MA
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:17238
晶体管
MOSFET PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET
1:¥14.9047
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.8366
3,000:¥6.8704
6,000:查看
参考库存:9325
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP
1:¥83.3714
10:¥75.3032
25:¥71.8454
100:¥62.3986
参考库存:26825
晶体管
MOSFET Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.3391
参考库存:14752
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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