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晶体管
DMC4029SSD-13参考图片

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DMC4029SSD-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W
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库存:14,752(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.3788
5.3788
10
¥4.5313
45.313
100
¥2.9154
291.54
1,000
¥2.3391
2339.1
2,500
¥2.3391
5847.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
5.1 A, 7 A
Rds On-漏源导通电阻
24 mOhms, 45 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
8.8 nC, 21.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.3 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMC4029
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
4.8 ns, 25.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.1 ns, 19.6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15.1 ns, 34.9 ns
典型接通延迟时间
5.3 ns, 8.7 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格,DMC4029SSD-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V N-Channel Power Trench
1:¥8.7575
10:¥7.4241
100:¥5.7065
500:¥5.0398
2,500:¥3.5256
10,000:查看
参考库存:22041
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥1,236.9658
10:¥1,191.02
25:¥1,134.5426
50:¥1,121.864
参考库存:4673
晶体管
射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 60Watts 12.5Volt Gain 13dB
1:¥347.701
10:¥334.9433
参考库存:4010
晶体管
MOSFET PHP191NQ06LT/SIL3P/STANDARD MA
1:¥14.5205
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
参考库存:25222
晶体管
MOSFET 100V Single
1:¥4.7686
10:¥4.0115
100:¥2.5877
1,000:¥2.0679
4,000:¥1.7402
参考库存:23429
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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