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晶体管
2N5551BU参考图片

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2N5551BU

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
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数量单价合计
1
¥2.2261
2.2261
10
¥1.469
14.69
100
¥0.61472
61.472
1,000
¥0.42262
422.62
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
160 V
集电极—基极电压 VCBO
180 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.2 V
最大直流电集电极电流
0.6 A
增益带宽产品fT
300 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N5551
直流电流增益 hFE 最大值
250
高度
4.7 mm
长度
4.7 mm
封装
Bulk
宽度
3.93 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
0.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
Pd-功率耗散
625 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
2N5551BU_NL
单位重量
179 mg
商品其它信息
优势价格,2N5551BU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥12.3735
100:¥9.831
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MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
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10:¥14.5996
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100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
4,000:¥0.46104
参考库存:86220
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    50万现货SKU

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