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晶体管
SI4435DYTRPBF参考图片

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SI4435DYTRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V
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数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.4918
54.918
100
¥4.2149
421.49
500
¥3.729
1864.5
1,000
¥2.938
2938
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
晶体管类型
1 P-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
3.9 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
90 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
76 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SP001573756
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,SI4435DYTRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 8A, 600mOhm
4,000:¥7.2998
5,000:¥7.0286
10,000:¥6.8817
参考库存:33283
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥261.4142
250:¥244.0461
参考库存:33288
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IGBT 模块 1200V 300A Dual 150TVj
1:¥1,475.328
5:¥1,436.908
10:¥1,410.7824
25:¥1,364.6784
参考库存:33293
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Power
2,000:¥4.9155
10,000:¥4.7234
参考库存:26534
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T23H450W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,069.8388
5:¥1,048.866
10:¥999.9935
25:¥978.9416
100:¥929.99
150:¥865.1393
参考库存:7286
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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