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晶体管
BDX34BG参考图片

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BDX34BG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 10A 80V Bipolar Power PNP
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库存:8,076(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.6839
56.839
100
¥3.6612
366.12
1,000
¥2.938
2938
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
最大直流电集电极电流
10 A
最大集电极截止电流
1000 uA
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BDX34B
封装
Tube
直流电流增益 hFE 最大值
750 at 3 A at 3 V
高度
15.75 mm
长度
10.53 mm
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,BDX34BG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 RC2 IGBT 15A 600V
1:¥14.4414
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
参考库存:7320
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
1:¥1,330.9479
5:¥1,298.9011
10:¥1,266.7074
25:¥1,248.9551
50:¥1,248.9551
参考库存:4982
晶体管
MOSFET N-Ch Digital
1:¥2.3052
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:12992294
晶体管
MOSFET SiC Power MOSFET 1700V, 72A
1:¥670.0448
100:¥644.3034
参考库存:8666
晶体管
MOSFET 30V P-Ch Enh FET 30Vgss -80A Idm
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,000:¥2.7007
参考库存:110113
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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