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晶体管
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D45H11

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur Switch
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数量单价合计
1
¥8.0682
8.0682
10
¥6.9382
69.382
100
¥5.3223
532.23
500
¥4.7121
2356.05
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 80 V
集电极—基极电压 VCBO
- 5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
10 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
D45H11
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
- 10 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
Pd-功率耗散
50 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，D45H11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N6551
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 120Vcbo 60Vceo 6.0Vebo
1:¥37.8776
10:¥33.8096
100:¥30.8151
250:¥27.8206
参考库存:5755
PSMN7R6-100BSEJ
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 7.6 mo FET
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
800:¥8.9157
参考库存:76697
STGB5H60DF
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8591
500:¥6.0681
1,000:¥4.7912
参考库存:12884
BCR 198S H6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:5951
FZT1049ATC
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain & Crnt
4,000:¥2.6442
参考库存:47985

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