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晶体管
SGL160N60UFDTU参考图片

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SGL160N60UFDTU

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库存:34,657(价格仅供参考)
数量单价合计
375
¥48.7143
18267.8625
750
¥44.409
33306.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
160 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SGL160N60UFD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
160 A
高度
26 mm
长度
20 mm
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
375
子类别
IGBTs
零件号别名
SGL160N60UFDTU_NL
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,SGL160N60UFDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BI
1:¥4.3053
10:¥3.5369
100:¥2.1583
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.4238
参考库存:27339
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP Complemntry
1:¥3.2318
10:¥2.7233
100:¥1.7176
1,000:¥1.2882
3,000:¥1.09836
参考库存:34126
晶体管
MOSFET PFET 20V 2A 0.065R
1:¥3.4578
10:¥2.8589
100:¥1.7402
1,000:¥1.356
3,000:¥1.1526
参考库存:31828
晶体管
MOSFET 12V N-Channel Trench MOSFET
1:¥3.2318
10:¥2.4295
100:¥1.3221
1,000:¥0.99101
9,000:¥0.79891
18,000:查看
参考库存:51030
晶体管
MOSFET 250V 7Ohm
1:¥4.5313
10:¥4.52
25:¥3.7177
100:¥3.4013
2,000:¥2.373
4,000:查看
参考库存:17032
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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