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晶体管
ZXMN2A01FTA参考图片

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ZXMN2A01FTA

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库存:88,751(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
3,000
¥1.11418
3342.54
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.2 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
625 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.02 mm
长度
3.04 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZXMN2A
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
6.1 S
下降时间
4.62 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.21 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.47 ns
典型接通延迟时间
2.49 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,ZXMN2A01FTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
1:¥3.842
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:6776
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.5315
500:¥7.4354
1,000:¥6.1585
参考库存:8908
晶体管
IGBT 晶体管 600V IGBT UFS N-Channel
1:¥49.7878
10:¥44.9514
25:¥42.8722
100:¥37.2674
参考库存:6530
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS DIGI BJT PNP 100MA TR
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:11012
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥6.9947
10:¥5.989
100:¥4.5991
500:¥4.068
2,500:¥2.8476
10,000:查看
参考库存:38224
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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