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晶体管
STF26NM60N参考图片

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STF26NM60N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V 20 A Mdmesh
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库存：4,406(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥49.0985
49.0985
10
¥41.7196
417.196
100
¥36.1939
3619.39
250
¥34.2729
8568.225
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
165 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STF26NM60N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STF26NM60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SCR513RTL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 50V 1A
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:5707
ZTX689B
Diodes Incorporated
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
1:¥7.7631
10:¥6.6557
100:¥5.1076
500:¥4.52
1,000:¥3.5708
参考库存:4639
BUL38D
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
1:¥8.6784
10:¥7.4241
100:¥5.7065
500:¥5.0398
参考库存:10386
PDTA144ET,235
Nexperia
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双极晶体管 - 预偏置 Single PNP-50V 150mW
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
10,000:¥0.18419
20,000:查看
参考库存:55733
IGW25N120H3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥42.1829
10:¥35.8888
100:¥31.1202
250:¥29.5043
500:¥26.4307
参考库存:15360

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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