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晶体管
IPD50P04P4-13参考图片

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IPD50P04P4-13

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
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库存：38,224(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥5.989
59.89
100
¥4.5991
459.91
500
¥4.068
2034
2,500
¥2.8476
7119
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
12.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
58 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS-P2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPD50P04P413ATMA1 IPD5P4P413XT SP000840204
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPD50P04P4-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMG6602SVT-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:4605
IPL65R070C7
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥56.8616
10:¥51.4037
25:¥49.0194
100:¥42.5671
3,000:¥31.0411
参考库存:19212
SI7463DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
1,000:¥10.5316
3,000:¥10.5316
参考库存:34764
2N2369A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥48.025
10:¥38.5782
100:¥35.1882
250:¥31.7304
参考库存:4831
BCP5610H6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.4578
10:¥2.8815
100:¥1.7628
1,000:¥1.356
2,000:¥1.1639
参考库存:102218

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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